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| LEADER |
06069nmm a2200397 u 4500 |
| 001 |
EB000676254 |
| 003 |
EBX01000000000000000529336 |
| 005 |
00000000000000.0 |
| 007 |
cr||||||||||||||||||||| |
| 008 |
140122 ||| ger |
| 020 |
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|a 9783642828355
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| 100 |
1 |
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|a Haefer, Rene A.
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| 245 |
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0 |
|a Oberflächen- und Dünnschicht-Technologie
|h Elektronische Ressource
|b Teil I: Beschichtungen von Oberflächen
|c von Rene A. Haefer
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| 250 |
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|a 1st ed. 1987
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| 260 |
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|a Berlin, Heidelberg
|b Springer Berlin Heidelberg
|c 1987, 1987
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| 300 |
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|a XVIII, 334 S. 27 Abb
|b online resource
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| 505 |
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|a 3.4 Untersuchung physikalischer Eigenschaften der Schichten -- 3.5 Untersuchung mechanisch-technologischer Eigenschaften -- 3.6 Funktionsorientierte Prüfverfahren -- 4 Plasmen in der Oberflächentechnologie -- 4.1 Einleitung -- 4.2 Erzeugung von Niederdruckplasmen -- 4.3 Plasmakenngrößen -- 4.4 Kollektive Phänomene -- 4.5 Hochfrequenzentladungen und das Prinzip des HF-Sputterns -- 4.6 Reaktionen im Plasma -- 5 Bedampfungstechniken -- 5.1 Einleitung -- 5.2 Grundlagen des Bedampfungsprozesses -- 5.3 Verdampfungsquellen -- 5.4 Automatische Pumpstand- und Verdampfungssteuerungen -- 5.5 Ausführungsformen von Beschickungsanlagen -- 5.6 Anwendungen -- 6 Sputtertechniken -- 6.1 Einleitung -- 6.2 Gesetzmäßigkeiten des Sputterprozesses -- 6.3 Praktische Ausführung verschiedener Sputtertechniken -- 7 Ionenplattieren -- 7.1 Einleitung -- 7.2 Mechanismus desIonenplattierens -- 7.3 Ausfuhrungsformen von Ionenplattier-Anlagen -- 7.4 Anwendungen des Ionenplattierens --
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|a 1 Oberflächentechnologien — ein Überblick -- 1.1 Einleitung -- 1.2 Überblick über Beschichtungsmethoden und ihre Anwendungen -- 1.3 Überblick über die Methoden zur Modifizierung der Randschicht -- 1.4 Zur Unterscheidung: dünne Schicht - dicke Schicht -- 1.5 Zum Aufbau des Buches -- 2 Haftfestigkeit und MikroStruktur der Schichten, Vorbehandlung der Substrate -- 2.1 Einleitung -- 2.2 Übergangs(Interface)-Zone zwischen Substrat und Schicht -- 2.3 MikroStruktur von PVD-Kondensaten -- 2.4 Inkorporation von Fremdatomen -- 2.5 Innere Spannungen in der Schicht -- 2.6 Haftfestigkeit der Schicht -- 2.7 Zeitliche Änderungen der Haftfestigkeit -- 2.8 Folgerungen in bezug auf die Vorbereitung der Substrate -- 3 Meß- und Prüftechnik von Oberflächen und dünnen Schichten -- 3.1. Messung der Schichtdicke und der Depositionsrate -- 3.2 Analyse der chemischen Zusammensetzung -- 3.3 Untersuchung der mikrogeometrischen und der kristallinen Struktur --
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|a 8 Chemische Abscheidung aus der Gasphase: CVD-Verfahren -- 8.1 Das CVD-Verfahren -- 8.2 Theoretische Grundlagen -- 8.3 CVD-Reaktoren -- 8.4 Eigenschaften der CVD-Schichten -- 8.5 Anwendungen von CVD-Schichten -- 9 Plasma-aktivierte chemische Dampfabscheidung (PACVD) -- 9.1 Einleitung -- 9.2 Physikalische und chemische Grundlagen des PACVD-Prozesses -- 9.3 Praktische Ausführung von PACVD-Reaktoren -- 9.4 Ergebnisse und Anwendungen -- 10 Plasmapolymerisation -- 10.1 Merkmale der Plasmapolymerisation -- 10.2 Reaktoren -- 10.3 Monomere . -- 10.4 Depositionsraten plasmapolymerisierter Schichten als Funktion der Prozeßparameter -- 10.5 Anlagen für die Plasmapolymerisation -- 10.6 Anwendungen der Plasmapolymerisation -- 11 Elektrochemische und chemische Verfahren zur Herstellung von Schichten -- 11.1 Überblick -- 11.2 Galvanische Abscheidung von Schichten -- 11.3 Anodische Oxidation -- 11.4 Elektrochemische Spezialverfahren -- 11.5 Chemische Herstellung von Schichten aus der Lösung --
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|a Physikalische Eigenschaften von Schichtmaterialien für verschiedene Beschichtungsprozesse und Hinweise auf Anwendungen -- A 1 Chemische Elemente als Schichtmaterialien für PVD- und CVD-Prozesse -- A 2 Anwendungen chemischer Elemente als Schichtmaterialien in der Elektronik, Optik und Oberflächenvergütung -- A 3 Fluoride als Schichtmaterialien für PVD-Prozesse und Anwendungen -- A 4 Oxide und Oxid-Verbindungen als Schichtmaterialien für PVD-, CVD-und Tauchprozesse und Anwendungen -- A 5 Nichtoxidische Chalcogenide und einige Halbleiter als Schichtmaterialien und deren technische Anwendungen -- A 6 Legierungen und Cermets als Schichtmaterialien für PVD-Prozesse -- A 7 Boride als Schichtmaterialien und deren Anwendungen -- A 8 Carbide als Schichtmaterialien und deren Anwendungen -- A 9 Nitride als Schichtmaterialien und deren Anwendungen -- A 10 Suicide als Schichtmaterialien und deren Anwendungen -- Literatur
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|a 12 Thermische Spritzverfahren -- 12.1 Einleitung -- 12.2 Verfahren der thermischen Spritztechnik -- 12.3 Eigenschaften der thermisch gespritzten Schichten -- 12.4 Anwendungen der thermischen Spritzverfahren -- 13 Auftragschweißen und Plattieren -- 13.1 Überblick -- 13.2 Verfahren des Auftragschweißens -- 13.3 Plattier-Verfahren -- 14 Durch Schmelztauchen und Rascherstarrung erzeugte Metallschichten -- 14.1 Schmelztauchverfahren -- 14.2 Rascherstarrung aus der Schmelze (liquid quenching) -- 15 Schichten aus organischen Polymeren und dispersen Systemen -- 15.1 Beschichtungsmaterialien -- 15.2 Mechanismen der Schichtbildung -- 15.3 Lösungsmittelarme Lacke -- 15.4 Anwendungen von Polymerschichten -- 15.5 Vorbehandlung derSubstrate -- 15.6 Beschichtungsverfahren -- 15.7 Anwendungen des Tauchverfahrens und des elektrostatischen Spritzens auch auf andere nichtmetallische Werkstoffe -- Tabellenanhang --
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|a Physical chemistry
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|a Thin films
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|a Machines, Tools, Processes
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|a Manufactures
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|a Physical Chemistry
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|a Surfaces, Interfaces and Thin Film
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|a Materials / Analysis
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|a Surfaces (Technology)
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|a Characterization and Analytical Technique
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| 041 |
0 |
7 |
|a ger
|2 ISO 639-2
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| 989 |
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|b SBA
|a Springer Book Archives -2004
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| 490 |
0 |
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|a WFT Werkstoff-Forschung und -Technik
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| 028 |
5 |
0 |
|a 10.1007/978-3-642-82835-5
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| 856 |
4 |
0 |
|u https://doi.org/10.1007/978-3-642-82835-5?nosfx=y
|x Verlag
|3 Volltext
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| 082 |
0 |
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|a 620.112
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