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| LEADER |
03457nmm a2200337 u 4500 |
| 001 |
EB002210585 |
| 003 |
EBX01000000000000001347785 |
| 005 |
00000000000000.0 |
| 007 |
cr||||||||||||||||||||| |
| 008 |
240603 ||| ger |
| 020 |
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|a 9783658438210
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| 100 |
1 |
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|a Baumann, Peter
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| 245 |
0 |
0 |
|a Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
|h Elektronische Ressource
|b Simulation mit PSPICE
|c von Peter Baumann
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| 250 |
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|a 4th ed. 2024
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| 260 |
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|a Wiesbaden
|b Springer Fachmedien Wiesbaden
|c 2024, 2024
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| 300 |
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|a XI, 251 S. 271 Abb., 14 Abb. in Farbe
|b online resource
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| 505 |
0 |
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|a Halbleiterdioden -- Bipolartransistoren -- HF-Transistoren mit StreuparameternMOS-Feldeffekttransisotoren -- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.-Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor -- Operationsverstärker -- Optokoppler -- NTC- und PTC-Sensoren -- RGB-Farbsensor -- Piezoelektrische Summer -- Ultraschallwandler -- Gassensoren -- Ionensensitiver Feldeffekttransistor -- Silizium-Solarzellen
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| 653 |
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|a Electronics and Microelectronics, Instrumentation
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| 653 |
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|a Electric power production
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| 653 |
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|a Electronic circuits
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| 653 |
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|a Telecommunication
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| 653 |
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|a Electrical Power Engineering
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| 653 |
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|a Electronics
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| 653 |
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|a Electronic Circuits and Systems
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| 653 |
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|
|a Microwaves, RF Engineering and Optical Communications
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| 041 |
0 |
7 |
|a ger
|2 ISO 639-2
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| 989 |
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|b Springer
|a Springer eBooks 2005-
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| 028 |
5 |
0 |
|a 10.1007/978-3-658-43821-0
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| 856 |
4 |
0 |
|u https://doi.org/10.1007/978-3-658-43821-0?nosfx=y
|x Verlag
|3 Volltext
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| 082 |
0 |
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|a 621.381
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| 520 |
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|a Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen. Der Inhalt Halbleiterdioden Bipolartransistoren HF-Transistoren mit Streuparametern Sperrschicht-Feldeffekttransistoren Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor Operationsverstärker Optokoppler NTC- und PTC-Sensoren RGB-Farbsensor Piezoelektrische Summer Ultraschallwandler Gassensoren Ionensensitiver Feldeffekttransistor Silizium-Solarzellen Die Zielgruppen Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten Ingenieure und Physiker in der Praxis Der Autor Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Entwicklungsingenieur im Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), als Dozent an der Ingenieurhochschule Mittweida und als Professor an der Westsächsischen Hochschule Zwickau. An der Hochschule Bremen war er als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen tätig
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