Halbleiter-Technologie
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | eBook |
| Language: | German |
| Published: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
1984, 1984
|
| Edition: | 2nd ed. 1984 |
| Series: | Halbleiter-Elektronik
|
| Subjects: | |
| Online Access: | |
| Collection: | Springer Book Archives -2004 - Collection details see MPG.ReNa |
Table of Contents:
- 11.1. Integrierte Schaltungen mit bipolaren Transistoren.
- 11.2. Integrierte Schaltungen mit MOS-Transistoren
- 11.3. Besondere Merkmale der MOS-Technik
- 11.4. Weitere Konzepte der Schaltungsintegration
- 12. Anhang
- Tabelle 12.1. Komplementäre Fehlerfunktionen von 0 bis 4,5
- Tabelle 12.2. Smith-Funktion [4.2]
- Tabelle 12.3. Übersicht über die gebräuchlichsten Ätzlösungen für Silizium [8.1]
- 12.4. Ansatz zur Berechnung des Schottky-Effektes
- Physikalische Größen
- 1. Der ideale Einkristall
- 1.1. Gitteraufbau
- 1.2. Beschreibung von Ebenen und Richtungen im Kristall
- 1.3. Bindungskräfte
- 2. Der reale Kristall
- 2.1. Punktförmige Kristallfehler
- 2.2. Linienförmige Kristallfehler
- 2.3. Flächenhafte Kristallfehler
- 3. Herstellung von Einkristallen
- 3.1. Grundlagen des Kristallwachstums
- 3.2. Phasendiagramme
- 3.3. Verfahren der Kristallzucht
- 4. Dotiertechnologien
- 4.1. Legierung
- 4.2. Diffusion
- 4.3. Ionenimplantation
- 4.4. Dotierung durch Kernumwandlung
- 4.5. Gegenüberstellung der Dotierungsverfahren
- 5. Der Metall-Halbleiter-Kontakt
- 5.1. Das System Metall-Vakuum
- 5.2. Das System Metall-Halbleiter
- 5.3. Strom-Spannungs-Kennlinien der Kontakte
- 5.4. Technische Ausführungen von Schottky-und ohmschen Kontakten
- 5.5. Wärmeableitung durch Kontakte
- 6. Meßverfahren zur Ermittlung von Halbleiterparametern
- 6.1. Meßverfahren zur Ermittlung elektrischer Größen
- 6.2. Meßverfahren zur Ermittlung physikalischer Größen
- 7. Kristallvorbereitung
- 7.1. Sägen
- 7.2. Oberflächenglättung
- 7.3. Ätzen
- 7.4. Reinigen der Kristalloberfläche
- 8. Grundzüge der Planartechnik
- 8.1. Diffusionsmaskierung
- 8.2. Herstellung von Isolierschichten
- 8.3. Lithographie
- 8.4. Ätztechnik
- 8.5. Metallisierung
- 8.6. Zusammenfassende Darstellung der Verfahrens-schritte bei der Herstellung eines Silizium-Epitaxial-Planar-Transistors
- 8.7. Ausgewählte Bauelemente
- 8.8. Ausgewählte Probleme der Planartechnik
- 9. Gehäuse- und Montagetechnik
- 9.1. Gehäusetypen;
- 9.2. Montage der Plättchen im Gehäuse
- 9.3. Kontaktierung mit Drähten
- 9.4. Andere Kontaktierungs-und Montagemethoden
- 9.5. Verkapselung
- 10. Spezielle Technologien für die Herstellung Integrierter Schaltungen
- 10.1.Silizium-Steuerelektroden-Technik
- 10.2. Lokale Oxidation von Silizium
- 11. Einführung in die Technik der Schaltungsintegration