Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente

Bibliographic Details
Main Author: Münch, W.v
Format: eBook
Language:German
Published: Berlin, Heidelberg Springer Berlin Heidelberg 1969, 1969
Edition:1st ed. 1969
Series:Technische Physik in Einzeldarstellungen
Subjects:
Online Access:
Collection: Springer Book Archives -2004 - Collection details see MPG.ReNa
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505 0 |a 1. Einleitung -- Literatur -- 2. Physikalische Eigenschaften des Galliumarsenids -- 2.1 Eigenschaften des reinen Galliumarsenids -- 2.2 Eigenschaften des dotierten Galliumarsenids -- Literatur -- 3. Galliumarsenid als Grundmaterial für elektronische Bauelemente -- 3.1 Dioden und Transistoren -- 3.2 Opto-elektronische Bauelemente -- 3.3 Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-) Bauelemente -- 3.4 Germanium-Galliumarsenid-Heterobauelemente -- Literatur -- 4. Herstellung und Prüfung des Galliumarsenid-Grundmaterials -- 4.1 Horizontale Kristallisation -- 4.2 Zugtechnik (Czochralski-Verfahren) -- 4.3 Tiegelfreie Zonenschmelze -- 4.4 Epitaxie aus der Gasphase -- 4.5 Prüfung des Kristallmaterials -- Literatur -- 5. Diffusionstechnik -- 5.1 Diffusion aus der Gasphase -- 5.2 Diffusion aus der festen Phase -- 5.3 Maskierung -- Literatur -- 6. Legierungstechnik -- 6.1 Epitaxie aus der flüssigen Phase -- 6.2 Ohmsche Kontakte -- Literatur -- 7. Dioden -- Literatur -- 8. Bipolare Transistoren -- 8.1 npn Transistoren -- 8.2 pnp Transistoren -- 8.3 Vierschichtentransistoren -- Literatur -- 9. Feldeffekttransistoren -- 9.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren -- 9.2 Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode -- 9.3 Feldeffekttransistoren mit Schottky-Kontakt -- Literatur -- 10. Opto-elektronische Bauelemente -- 10.1 Leuchtdioden -- 10.2 Injektionslaser -- Literatur -- 11. Elektronentransfer-(Gunn-Effekt-)Bauelemente -- Literatur -- 12. Integrierte Bauelemente -- Literatur 
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