Niederdruckplasmen und Mikrostrukturtechnik
In diesem Buch werden zunächst die verschiedenen Typen von Plasmen ausführlich beschrieben: Gleichstrom-Entladung, kapazitive und induktive Kopplung mit Radiofrequenz, die magnetfeldunterstützte Anregung mittels Heliconwellen; schließlich noch Ionenstrahlen. Breiten Raum nimmt dann die Plasmadiagnos...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | eBook |
| Language: | German |
| Published: |
Berlin, Heidelberg
Springer Berlin Heidelberg
2004, 2004
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| Edition: | 3rd ed. 2004 |
| Subjects: | |
| Online Access: | |
| Collection: | Springer Book Archives -2004 - Collection details see MPG.ReNa |
Table of Contents:
- 10.7 Sputtersysteme mit erhöhter Plasmadichte
- 10.8 Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD)
- 10.9 Ionenstrahlbeschichtung
- 11 Trockenätzverfahren
- 11.1 Sputterätzen
- 11.2 Reaktive ätzverfahren
- 11.3 Abhängigkeit von einzelnen Parametern
- 11.4 Charakteristika des Trockenätzens
- 11.5 Spezielle Charakteristika des Ionenstrahlätzens
- 11.6 Damage
- 11.7 Ôtztopographie
- 11.8 Prozeßkontrolle
- 12 Ôtzmechanismen
- 12.1 Rückblick
- 12.2 Quantitative Berechnung mit der Langmuir-Theorie
- 12.3 ...und beim Ionenätzen?
- 12.4 Simulation von Trockenätzungen
- 12.5 Ôtzverhalten von Si und seinen Verbindungen
- 12.6 Ôtzverhalten von III/V-Verbindungshalbleitern
- 12.7 Kombination verschiedene Ôtzverfahren
- 12.8 Oberflächenreinigung
- 12.9 Anlagen-Design
- 13 Ausblick
- 14 Anhang
- 14.1 Elektronen-Energieverteilungen (EEDFs)
- 14.2 Die Bohmsche Übergangszone
- 14.3 Plasmaschwingungen
- 14.4 Kapazitive Kopplung im RF-System
- 6.4 Asymmetrisches System
- 6.5 Self-Bias der RF-Elektroden
- 6.6 Streumechanismen
- 7 HF-Entladungen III
- 7.1 Hoch-Dichte-Plasmen
- 7.2 Induktiv gekoppelte Plasmen
- 7.3 Magnetfeld-unterstützte Anregung von Plasmen
- 7.4 Whistlerwellen und Systeme mit gekoppelter Resonanz
- 7.5 ECR-Quellen
- 7.6 Vergleich der Hochdichteplasma-Entladungen
- 8 Ionenstrahlsysteme
- 8.1 Plasmaquellen
- 8.2 Gitteroptik
- 8.3 Qualitative Betrachtung der Ionenextraktion
- 8.4 Quantitative Betrachtungen zum Ionenstrom
- 8.5 Neutralisierung
- 8.6 Prozeßoptimierung
- 8.7 Uniformität
- Plasma-Diagnostik
- 9.1 Langmuir-Sonde
- 9.3 Self-Excited Electron Resonance Spectroscopy (SEERS)
- 9.4 Impedanzanalyse
- 9.5 Optische Emissions-Spektroskopie (OES)
- 9.6 Zusammenfassung
- 10 Sputtern
- 10.1 Kinetik
- 10.2 Sputterbedingungen
- 10.3 Probleme derKontamination
- 10.4 Bias-Techniken
- 10.5 Deposition von Mehrkomponenten-Filmen
- 10.6 Probleme der Kohäsion
- 14.5 Bewegung im magnetischen Feld
- 14.6 Cutoff und Skintiefe des E-Feldes in einer HF-Entladung
- 14.7 Eigenschaften der Whistlerwellen
- 15 Verwendete Symbole und Akronyme
- 16 Bildquellennachweis
- Register
- 1 Einleitung
- 2 Das Plasma
- 2.1 Gleichstrom-Glimmentladung
- 2.2 Temperaturverteilung im Plasma
- 2.3 Ladungsneutralisation im ungestörten Plasma
- 2.4 Potentialvariation im Plasma
- 2.5 Temperatur und Dichte der Elektronen
- 2.6 Plasmaschwingungen
- 2.7 Ôhnlichkeitsgesetze
- 3 Ladungsträger
- 3.1 Streutheorie
- Elastische Stöße
- 3.3 Unelastische Stöße
- 3.4 Sekundärelektronen-Erzeugung an Oberflächen
- 3.5 Verlustmechanismen
- 4 DC-Entladungen
- 4.1 Ionisierung in der Kathodenzone
- 4.2 Negative Glühzone und Positive Säule
- 4.3 Anodenzone
- 4.4 Hohlkathodenentladungen
- 5 HF-Entladungen I
- 5.1 Beschreibung der Ladungsträgererzeugung
- 5.2 HF-Kopplung: Qualitative Beschreibung
- 5.3 HF-Kopplung: Quantitative Beschreibung
- 5.4 Abgleichsnetzwerke
- 6 HF-Entladungen II
- 6.1 Elektrodenvorgänge in kapazitiv gekoppelten Plasmen
- 6.2 Feldstärken in der Randschicht bei steigender Anregungsfrequenz
- 6.3 Symmetrisches System