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| LEADER |
02852nmm a2200337 u 4500 |
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| 005 |
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| 007 |
cr||||||||||||||||||||| |
| 008 |
140122 ||| ger |
| 020 |
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|a 9783322953650
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| 245 |
0 |
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|a Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
|h Elektronische Ressource
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| 250 |
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|a 1st ed. 1997
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| 260 |
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|a Wiesbaden
|b Deutscher Universitätsverlag
|c 1997, 1997
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| 300 |
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|a 138 S. 51 Abb
|b online resource
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| 505 |
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|a 1 Einleitung -- 1.1 Technologischer Stellenwert von III-V-Halbleitern -- 1.2 Anforderungen an die Oberfläche von GaAs-Wafern -- 1.3 Ziel der Arbeit -- 2 Materialkunde -- 2.1 Galliumarsenid (GaAs) -- 2.2 Herstellung von GaAs-Wafern -- 3 Verwendete oberflächenanalytische Methoden -- 3.1 Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) -- 3.2 Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS) -- 3.3 Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzanalyse (TXRF) -- 3.4 Ellipsometrie -- 4 Quantitativer Nachweis von Metallverunreinigungen auf GaAs -- 4.1 Herstellung von Standards -- 4.2 Identifikation metallischer Spurenelemente -- 4.3 Tiefenanalyse metallischer Spurenelemente -- 4.4 Quantitative Analyse metallischer Spurenelemente -- 5 Charakterisierung passivierender Oberflächenoxide auf GaAs -- 5.1 Oxidationsmechanismen -- 5.2 Signaturdaten für XPS, TOF-SIMS und Ellipsometrie -- 5.3 GaAs-Oberflächen nach Oxidation an Umgebungsluft -- 5.4 GaAs-Oberflächen nach Oxidation unter UV/Ozon-Einfluß -- 5.5 Vergleich der Oxidationsmechanismen -- 6 Zusammenfassende Diskussion -- 7 Literaturverzeichnis
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|a Business
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|a Semiconductors
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|a Electronics and Microelectronics, Instrumentation
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|a Management science
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|a Condensed Matter Physics
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|a Business and Management
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|a Electronics
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|a Condensed matter
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| 710 |
2 |
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|a SpringerLink (Online service)
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| 041 |
0 |
7 |
|a ger
|2 ISO 639-2
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| 989 |
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|b SBA
|a Springer Book Archives -2004
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| 028 |
5 |
0 |
|a 10.1007/978-3-322-95365-0
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| 856 |
4 |
0 |
|u https://doi.org/10.1007/978-3-322-95365-0?nosfx=y
|x Verlag
|3 Volltext
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| 082 |
0 |
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|a 537.622
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| 520 |
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|a Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses
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