Ionenimplantation
In den letzten Jahren erschienen bereits mehrere Bücher zum Thema Ionenimplanta tion, die sich fast ausschließlich an auf dem Gebiet der Ionenimplantation tätige Wissenschaftler wenden und deshalb der Theorie einen sehr breiten Raum einräumen. Im Gegensatz hierzu wendet sich das vorliegende Werk we...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | eBook |
| Language: | German |
| Published: |
Wiesbaden
Vieweg+Teubner Verlag
1978, 1978
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| Edition: | 1st ed. 1978 |
| Subjects: | |
| Online Access: | |
| Collection: | Springer Book Archives -2004 - Collection details see MPG.ReNa |
Table of Contents:
- 1 Einleitung
- 1.1 Eigenschaften und Möglichkeiten der Ionenimplantation
- 1.2 Historischer Rückblick
- 2 Grundlagen der Ionenimplantation
- 2.1 Reichweite von Ionen in Festkörpern
- 2.2 Strahlenschäden in Festkörpern
- 2.3 Der Channeling-Effekt
- 3 Probleme bei der Implantation in reale Festkörper
- 3.1 Wirkung und Ausheilen von Strahlenschäden
- 3.2 Elektrische Aktivierung implantierter Ionen
- 3.3 Reichweiteverteilung in Zweischichtstrukturen
- 3.4 Maskierungsschichten
- 3.5 Laterale Streuung
- 3.6 Passivierungsschichten
- 3.7 lonenzerstäubung während der Implantation
- 3.8 Diffusion
- 3.9 Probenerwärmung
- 4 Ionenimplantationsapparaturen
- 4.1 Ionenquellen
- 4.2 Beschleunigung und Fokussierung
- 4.3 Strahlanalyse
- 4.4 Strahlablenkung und Homogenität
- 4.5 Probenkammer
- 4.6 Vakuum
- 5 Meßmethoden zur Untersuchung ionenimplantierter Schichten
- 5.1 Anätzen von pn-Übergängen
- 5.2 Bestimmung des Leitungstyps
- 9.4 Reichweitetabellen
- 9.5 Häufigkeit der Isotope
- 9.6 Dampfdruck
- 9.7 Fehlerfunktion
- 10 Literatur
- Bücher und Übersichtsartikel
- Bibliographien
- Konferenzberichte
- Fachartikel
- 5.3 Kapazität-Spannung-Messung
- 5.4 Schichtwiderstandsmessungen
- 5.5 Halleffektmessungen
- 5.6 Messung des Ausbreitungswiderstandes
- 5.7 Strom-Spannung-Messung
- 5.8 Analyse implantierter Schichten mit energiereichen, leichten Ionen
- 5.9 Aktivierungsanalyse
- 6 Eigenschaften ionenimplantierter Halbleiterschichten
- 6.1 Implantation in Silicium
- 6.2 Implantation in Germanium
- 6.3 III-V-Halbleiter
- 6.4 Implantation in II-VI- und IV-VI-Halbleiter
- 6.5 Siliciumkarbid
- 7 Bauelemente
- 7.1 MOS-Bauelemente
- 7.2 Widerstände
- 7.3 Dioden
- 7.4 Bipolare Transistoren
- 7.5 Feldeffekttransistoren
- 7.6 Verschiedene Halbleiterbauelemente
- 8 Implantation in Nichthalbleiter
- 8.1 Implantation in Metalle
- 8.2 Implantation in optische Materialien
- 8.3 Weitere Anwendungen der Implantation auf Nichthalbleiter.
- 9 Anhang
- 9.1 Daten von Halbleiternund Isolatoren
- 9.2 Diffusionskoeffizienten
- 9.3 Löslichkeiten von Elementen in Silicium und Germanium