|
|
|
|
| LEADER |
04000nmm a2200325 u 4500 |
| 001 |
EB000642034 |
| 003 |
EBX01000000000000000495116 |
| 005 |
00000000000000.0 |
| 007 |
cr||||||||||||||||||||| |
| 008 |
140122 ||| ger |
| 020 |
|
|
|a 9783322863256
|
| 100 |
1 |
|
|a Brauer, Wolfram
|
| 245 |
0 |
0 |
|a Theoretische Grundlagen der Halbleiterphysik
|h Elektronische Ressource
|c von Wolfram Brauer
|
| 250 |
|
|
|a 2nd ed. 1976
|
| 260 |
|
|
|a Wiesbaden
|b Vieweg+Teubner Verlag
|c 1976, 1976
|
| 300 |
|
|
|a 220 S. 49 Abb
|b online resource
|
| 505 |
0 |
|
|a 1. Kristallstruktur und Symmetrien -- 1.1. Translationsgruppe -- 1.2. Punktgruppe -- 1.3. Fraktionelle Translationen -- 1.4. Beispiel: fcc-Gitter -- 2. Elektron im idealen Kristallpotential -- 2.1. Kristallpotential -- 2.2. Symmetrieoperatoren -- 2.3. Eigenwertproblem der Translationsoperatoren -- 2.4. Blochsches Theorem -- 2.5. Energiebänder -- 2.6. Periodische Randbedingung -- 2.7. Zustandsdichte. Kritische Punkte -- 2.8. Impulsmessung. Erwartungswert des Impulses. f-Summensatz -- 2.9. Halbleiter-Bandstrukturen -- 3. Methoden zur Berechnung der Bandstruktur -- 3.1. Qualitative Form des Kristallpotentials -- 3.2. Eigenwertproblem und Entwicklungsfunktionen -- 3.3. Entwicklung nach Bloch-Summen -- 3.4. Bindungs-Orbital-Modell -- 3.5. Entwicklung nach ebenen Wellen -- 3.6. Orthogonalisierte ebene Wellen -- 3.7. Pseudopotential -- 3.8. ? · p-Methode -- 3.9. Hartree-Fock-Slater-Kristallpotential -- 4. Störstellen -- 4.1. Charakterisierung von Störstellen --
|
| 505 |
0 |
|
|a Appendix 9 -- Appendix 10 -- Literatur -- Verzeichnis der wichtigsten Symbole
|
| 505 |
0 |
|
|a 4.2. Effektivmassennäherung -- 4.3. Energieniveaus von Substitutionsstörstellen -- 5. Statistik der Ladungsträger im Gleichgewicht -- 5.1. Ladungsträgerdichte in den Bändern -- 5.2. Ladungsträgerdichte in den Störstellen -- 5.3. Bestimmung des chemischen Potentials -- 6. Bornsche Gitterdynamik -- 6.1. Schwingungszweige. Phononen -- 6.2. Phononen kleiner w-Vektoren -- 7. Lineare Wechselwirkung der Elektronen mit einem äußeren elektromagnetischen Feld -- 7.1. Mikroskopischer Quasileitfähigkeitstensor -- 7.2. Weitere mikroskopische Responsefunktionen -- 7.3. Näherung des selbstkonsistenten Feldes -- 8. Elektronische optische Eigenschaften -- 8.1. Dielektrischer Tensor -- 8.2. Mikroskopische Theorie des dielektrischen Tensors. -- 8.3. Interbandübergänge -- 8.4. Plasmabereich -- 8.5. Exzitonen -- 9. Kristallpotential im Bindungsladungsmodell.Modellpotential -- 9.1. Nichtlineare Abschirmung des Ionenpotentials -- 9.2. Bindungsladungsmodell -- 9.3. Modellpotential --
|
| 505 |
0 |
|
|a 10. Mikroskopische Theorie der Gitterdynamik -- 10.1. Bewegungsgleichung der Ionen -- 10.2. Dynamische Matrix -- 10.3. Effektiver Ladungstensor -- 10.4. Polaritonen in Kristallen mit Zinkblendestruktur -- 10.5. Gitteranteil der dielektrischen Funktion -- 11. Elektron-Phonon-Wechselwirkung -- 11.1. Wechselwirkungsoperator -- 11.2. Deformationspotential -- 11.3. Elektron-Phonon-Streuung -- 12. Boltzmann-Gleichung -- 13. Lösungen der Boltzmann-Gleichung -- 13.1. Relaxationszeit -- 13.2. Ellipsoidische Energieflächen -- 13.3. Kohlersches Variationsverfahren -- 14. Elektrische Leitfähigkeit -- 14.1. Streuung an ionisierten Störstellen -- 14.2. Deformationspotential-Streuung -- 14.3. Polare Streuung -- 14.4. Drudeformel. Leitfähigkeit bei tiefen Frequenzen -- 15. Galvanomagnetische Effekte -- 15.1. Jones-Zener-Lösung -- 15.2. Hall-Effekt -- 15.3. Magnetowiderstand -- Appendix 1 -- Appendix 2 -- Appendix 3 -- Appendix 4 -- Appendix 5 -- Appendix 6 -- Appendix 7 -- Appendix 8 --
|
| 653 |
|
|
|a Humanities and Social Sciences
|
| 653 |
|
|
|a Humanities
|
| 653 |
|
|
|a Social sciences
|
| 041 |
0 |
7 |
|a ger
|2 ISO 639-2
|
| 989 |
|
|
|b SBA
|a Springer Book Archives -2004
|
| 490 |
0 |
|
|a Reihe Wissenschaft
|
| 028 |
5 |
0 |
|a 10.1007/978-3-322-86325-6
|
| 856 |
4 |
0 |
|u https://doi.org/10.1007/978-3-322-86325-6?nosfx=y
|x Verlag
|3 Volltext
|
| 082 |
0 |
|
|a 001.3
|
| 082 |
0 |
|
|a 300
|