Integrationstechniken für Feldeffekttransistoren mit halbleitenden Nanopartikeln Einzel- und Multipartikel-Bauelemente

Um die Produktionskosten zu reduzieren und neue Anwendungsgebiete zu erschließen, wird in den letzten Jahren zusehends die Herstellung von integrierten Schaltungen mittels Drucktechniken angestrebt. Eine aussichtsreiche Materialklasse für den Einsatz in gedruckten Halbleiterbauelementen stellen anor...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Wolff, Karsten
Format: eBook
Language:German
Published: Wiesbaden Vieweg+Teubner Verlag 2011, 2011
Edition:1st ed. 2011
Subjects:
Online Access:
Collection: Springer eBooks 2005- - Collection details see MPG.ReNa
Description
Summary:Um die Produktionskosten zu reduzieren und neue Anwendungsgebiete zu erschließen, wird in den letzten Jahren zusehends die Herstellung von integrierten Schaltungen mittels Drucktechniken angestrebt. Eine aussichtsreiche Materialklasse für den Einsatz in gedruckten Halbleiterbauelementen stellen anorganische Nanopartikel dar. Insbesondere eignen sich hierfür halbleitende Nanopartikel aufgrund der theoretisch hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und der Materialverfügbarkeit. Karsten Wolff untersucht Integrationstechniken für die Verwendung von Halbleiternanopartikeln in Feldeffekttransistoren am Beispiel von Silizium- und Zinkoxid-Partikeln. Dabei betrachtet er sowohl klassische Dünnfilmtransistoren, nanoskalige Einzelpartikeltransistoren als auch Inverterschaltungen. Im Fokus steht das elektrische Verhalten der Bauelemente in Abhängigkeit von der Prozessführung und der Transistorarchitektur
Physical Description:XXIV, 228 S. 110 Abb online resource
ISBN:9783834882714